APL Materials に論文が掲載され、プレスリリースもされる!
2024/12/13
産業技術総合研究所と共同研究した内容が、APL Materials誌(IF=5.3)に掲載されました。
低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料のSc-GaNの開発に成功し、
次世代メモリの有力候補に名乗りを上げています。
詳細は下記をご覧ください。
https://www.isct.ac.jp/ja/news/j872vdajv468
2024/12/13
産業技術総合研究所と共同研究した内容が、APL Materials誌(IF=5.3)に掲載されました。
低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料のSc-GaNの開発に成功し、
次世代メモリの有力候補に名乗りを上げています。
詳細は下記をご覧ください。
https://www.isct.ac.jp/ja/news/j872vdajv468