修了生一覧

2021

  • 90(M) 石濱 圭佑 Keisuke Ishihama
    正方晶(Bi,Na)TiO3-BaTiO3膜における電気特性および圧電特性の組成依存性に関する研究
  • 89 (M) 安岡 慎之介 Shinnosuke YASUOKA
    2元同時スパッタリング法による(Al1-xScx)N薄膜の作製と強誘電性評価
  • 88 (M) 森川 友秀 Tomohide MORIKAWA
    格子歪みを用いたPb(ZrxTi1-x)O3薄膜のドメイン構造の制御

2020

  • 87(Ph.D) 三村 和仙 Takanori Mimura
    Sutudy on phase stability of ferroelectric HfO2 based films using epitaxial film
    (エピタキシャル膜を用いた強誘電HfO2基膜の相安定性に関する研究)
  • 86 (M) 青山 航大 Kodai Aoyama
    二元同時スパッタ法による(Ba, Sr, Ca)Si2膜の作製と電気特性評価
  • 85 (M) 田代 裕貴 Yuki TASHIRO
    ITO//(111)YSZ基板上に作成したZrとYドープによるHfO2基薄膜の結晶相と強誘電特性に関する研究
  • 84 (M) 井上 英久 Hidehisa INOUE
    モルフォトロピック相境界近傍組成を有するPZT膜の電気特性評価と電界下結晶構造変化

2019

  • 83(Ph.D) 一ノ瀬 大地 Daichi ICHINOSE
    Studies on domain structure of epitaxial tetragonal Pb(Zr,Ti)O3 films grown under tensile stress
    (引張応力下で成長させた正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜のドメイン構造に関する研究)
  • 82 (M) 舘山 明紀 Akinori TATEYAMA
    水熱合成法による(K,Na)NbO3厚膜の作製とその特性評価
  • 81 (M) 長谷川 光勇 Miyu HASEGAWA
    PLD法で作製した正方晶(Bi,Na)TiO3-BaTiO3膜の圧電特性向上に関する研究

2018

  • 80(Ph.D) 岡本 庄司 Shoji OKAMOTO
    配向および歪み制御による高性能圧電特性を有するPb(Zr,Ti)O3および(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3 薄膜に関する研究
  • 79
    (Ph.D) 千葉 洋一 Hirokazu CHIBA
    Deposition enhancement of thin films by combination design of precursor structure and coreactant gas in metal organic chemical vapor deposition process
    (MOCVDプロセスにおける原料構造と反応ガスの組み合わせの設計による薄膜析出の促進)
  • 78 (M) 佐藤 智也 Tomoya SATO
    引張歪みを受けたエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造
  • 77 (M) 鈴木 大生 Taisei SUZUKI
    スパッタリング法による方位制御したYO1.5-HfO2エピタキシャル膜の合成とその結晶構造および電気特性評価

2017

  • 76(M) 黒川 満央 Mao KUROKAWA
    アルカリ土類金属シリサイド膜の電気特性制御因子の研究
  • 75 (M) 根本 祐一 Yuichi NEMOTO
    PLD法を用いた正方晶エピタキシャル(Bi,K)TiO3膜の作製と特性評価
  • 74 (M) 三村 和仙 Takanori MIMURA
    配向制御したHfO2基強誘電体における強誘電相安定性に関する研究

2016

  • 73(Ph.D) 仮屋 哲朗 Tetsuro KARIYA
    Study on creating novel cell structures for next-generation fuel cells using alloy powders
    (合金粉末を活用した次世代型燃料電池構造体の創製に関する研究)
  • 72 (M) 一ノ瀬 大地 Daichi ICHINOSE
    正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造制御
  • 71 (M) 上原 睦雄 Mutsuo UEHARA
    スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と電気特性評価
  • 70 (M) 片山 きりは Kiriha KATAYAMA
    気相法により直接成長させた強誘電性HfO2基エピタキシャル薄膜の作製と評価

2015

  • 69(Ph.D) 木村 純一 Junichi KIMURA
    Study on temperature stability of dielectric properties in TiO6 octahedra-based oxides
    (TiO6八 面体基酸化物における誘電特性の温度安定性に関する研究)
  • 68(Ph.D) 白石 貴久 Takahisa SHIRAISHI
    Study on low temperature preparation of (KxNa1-x)NbO3 films by hydrothermal method and their piezoelectric characterization
    水熱合成法による(KxNa1-x)NbO3膜の低温合成とその圧電特性評価に関する研究
  • 67(Ph.D) 中島 光雅 Mitsumasa NAKAJIMA
    電界誘起分極再配向を用いた誘電体膜の誘電・圧電特性の向上に関する研究
  • 66 (M) 新井 洋喜 Hiroki ARAI
    スパッタリング法によるアルカリ土類金属シリサイド膜の作製および電気特性評価
  • 65 (M) 大島 直也 Naoya OSHIMA
    配向制御したペロブスカイト酸化物強誘電体薄膜の作製と電気特性評価
  • 64 (M) 中島 崇明 Takaaki NAKASHIMA
    エピタキシャルPbTiO3膜における結晶構造に対する温度及び格子歪みの影響

2014

  • 63(Ph.D) 江原 祥隆 Yoshitaka EHARA
    Study on crystal structure change in epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 filmsinduced by electric field and stress from substrates
  • 62(Ph.D) 及川 貴弘 Takahiro OIKAWA
    Bi(Mg1/2Ti1/2)O3基強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性に関する研究
  • 61 (M) 小川 正太 Shota OGAWA
    スパッタリング法により合成したMg2Siエピタキシャル膜の結晶構造および電気特性評価
  • 60 (M) 金子 祈之 Noriyuki KANEKO
    水熱合成法によるフレキシブル基板上への非鉛圧電体KNbO3の作製とその特性評価
  • 59 (M) 田中 宏樹 Hiroki TANAKA
    Pd被覆多孔質ステンレスを利用した固体酸化物型燃料電池の作製とその特性評価

2013

  • 58 (M) 片桐 淳生 Atsuo KATAGIRI
    スパッタリング法によるMg2Siエピタキシャル膜の作製と電気特性評価
  • 57 (M) 真鍋 直人 Naoto MANABE
    Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系圧電体の粉体及び薄膜における結晶構造解析と電気特性
  • 56 (M) 和田 亜由美 Ayumi WADA
    圧電MEMS用Pb(Zr,Ti)O3膜の圧電機構の解析及び信頼性評価

2012

  • 55 (M) 木村 純一 Junichi KIMURA
    c軸配向CaBi4Ti4O15薄膜を用いた高温適応キャパシタの作製と評価
  • 54 (M) 白石 貴久 Takahisa SHIRAISHI
    水熱合成法の特徴を活かした(K,Na)NbO3膜の作製と特性評価
  • 53 (M) 長田 潤一 Jun-ichi NAGATA
    Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性評価

2011

  • 52(Ph.D) 安井 伸太郎 Shintaro YASUI
    Study on growth and electrical property of Bi-based perovskite ferroelectric thin films
  • 51 (M) 榮西 弘 Hiroshi EINISHI
    エピタキシャルKNbO3-NaNbO3膜の水熱合成
  • 50 (M) 江原 祥隆 Yoshitaka EHARA
    単一配向した菱面体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の結晶方位依存性とその特性評価
  • 49 (M) 多久和 至 Itaru TAKUWA
    結晶配向制御によるペロブスカイト酸化物誘電体薄膜の歪み安定性の向上
  • 48 (M) 田中 秀典 Hidenori TANAKA
    組成及び形状制御による非鉛圧電体の特性向上の試み

2010

  • 47(Ph.D) 河野 和久 Kazuhisa KAWANO
    MOCVD用ルテニウム錯体の開発および薄膜作製に関する研究
  • 46(Ph.D) 三好 哲 Tetsu MIYOSHI
    エアロゾルデポジション法による高密度圧電セラミックスの作製とその評価
  • 45(Ph.D) 森岡 仁 Hitoshi MORIOKA
    Effects of Domain Structure on Ferroelectric and PiezoelectricProperties of Lead-based Ferroelectric Films Characterized by Advanced X-ray Diffraction Techniques
  • 44 (M) 宇津木 覚 Satoru UTSUGI
    MOCVD 法による CaF2上へのエピタキシャル 正方晶強誘電体Pb(Zr,Ti)O3膜の作製と評価
  • 43 (M) 中島 光雅 Mitsumasa NAKAJIMA
    電界印加による分極再配向を利用した誘電・圧電特性の設計
  • 42 (M) 矢澤 慶祐 Keisuke YAZAWA
    非鉛強誘電体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜の作製と特性評価

2009

  • 41 (M) 加茂 嵩史 Takafumi KAMO
    RFマグネトロンスバッタ法を用いた(100)及び(111)配向(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製と評価
  • 40 (M) 平野 雅輝 Masaki HIRANO
    MOCVD法で作製した金属Ru膜におけるインキュベーションタイムの影響
  • 39 (M) 藤沢 隆志 Takashi FUJISAWA
    MOCVD法を用いた分極軸配向エピタキシャル正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜の作製と評価

2008

  • 38(Ph.D) 中木 寛 Hiroshi NAKAKI
    正方晶PZT厚膜のドメイン構造とその特性への寄与に関する研究
  • 37 (M) 碇山 理究 Rikyu IKARIYAMA
    MOCVD法によるエピタキシャルパイロクロア導電膜の作製とその評価
  • 36 (M) 安井 伸太郎 Shintaro YASUI
    MOCVD法によるエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3膜の作製と評価

2006

  • 35(Ph.D) 鈴木 宗泰 Muneyasu SUZUKI
    ビスマス層状構造誘電体の構造的特徴を応用した誘電特性の研究
  • 34(Ph.D) 高橋 健治 Kenji TAKAHASHI
    自然超格子構造を有するビスマス層状構造誘電体薄膜の特性評価およびキャパシタ構造の最適化に関する研究
  • 33(Ph.D) 横山 信太郎 Shintaro YOKOYAMA
    鉛系強誘電体膜のMOCVD合成とその結晶構造および電気特性評価に関する研究
  • 32 (M) 伊藤 信一 Shinichi ITO
    RFマグネトロンスパッタ法による(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製とキャパシタ特性
  • 31 (M) 岡浦 伸吾 Shingo OKAURA
    MOCVD法によるBi-Zn-Nb-O薄膜の作製と評価
  • 30 (M) 岡本 賢 Satoshi OKAMOTO
    リラクサー型強誘電体Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3膜における誘電特性の膜厚依存性
  • 29 (M) 桑原 弥紀 Hiroki KUWABARA
    SrRuO3バッファを用いた(111)一軸配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜の作製と評価
  • 28 (M) 南舘 純 Jun MINAMIDATE
    導電性酸化物SrRuO3薄膜の低温MOCVD合成とその電極特性の評価

2005

  • 27 (M) 岡本 庄司 Shoji OKAMOTO
    MOCVD合成PZT厚膜の配向制御及び強誘電性評価
  • 26 (M) 角 章弘 Akihiro SUMI
    菱面体晶PZTの電気特性の温度及び膜厚依存性
  • 25 (M) 永井 篤史 Atsushi NAGAI
    高密度FeRAM応用を目指したナノトレンチ基板上への3D構造Pb(Zr,Ti)O3キャパシタ構築の検討

2004

  • 24(Ph.D) 秋山 賢輔 Kensuke AKIYAMA
    高品質β-FeSi2薄膜作製と特性評価に関する研究
  • 23(Ph.D) 渡邉 隆之 Takayuki WATANABE
    Ferroelectric Properties of Modified Bi4Ti3O12 Thin Films
  • 22 (M) 浅野 剛司 Gouji ASANO
    Pb(Zr,Ti)O3薄膜作成時におけるMOCVDプロセス及びキャパシタ構造の最適化
  • 21 (M) 本田 佳久 Yoshihisa HONDA
    高品質エピタキシャルPLZT厚膜の特性評価
  • 20 (M) 森岡 仁 Hitoshi MORIOKA
    エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜におけるドメイン構造と強誘電性の制御

2003

  • 19(Ph.D) 斎藤 啓介 Keisuke SAITO
    X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜の結晶構造解析に関する研究
  • 18 (M) 木村 武 Takeshi KIMURA
    高品質β-FeSi2半導体薄膜の作製とその評価
  • 17 (M) 小嶌 隆志 Takashi KOJIMA
    MOCVD法合成Bi層状化合物の特徴を用いた強誘電体キャパシタへの応用
  • 16 (M) 高橋 健治 Kenji TAKAHASHI
    MOCVD合成HfO2薄膜/Si界面の新規制御法の検討
  • 15 (M) 横山 信太郎 Shintaro YOKOYAMA
    MOCVD法合成Pb(Zr,Ti)O3厚膜の特性評価

2002

  • 14(Ph.D) 時田 浩司 Kouji TOKITA
    PZT薄膜の低温合成と配向制御に関する研究
  • 13(Ph.D) 額賀 紀全 Norimasa NUKAGA
    SrBi2Ta2O9薄膜のMOCVD法による高品質化に関する研究
  • 12 (M) 及川 貴弘 Takahiro OIKAWA
    MOCVD合成エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜の強誘電特性制御法の確立
  • 11 (M) 尾関 朝彦 Tomohiko OZEKI
    MOCVD法によるPZT厚膜の合成と評価
  • 10 (M) 酒井 朋裕 Tomohiro SAKAI
    メモリー応用を目指したBi層状強誘電体薄膜の新化合物探索

2001

  • 09 (M) 荒谷 政則 Masanori ARATANI
    新規MOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の低温合成による特性と評価
  • 08 (M) 東 典行 Noriyuki HIGASHI
    MOCVD合成した導電性酸化物(Sr,Ca)RuO3の構造解析及び触媒反応を用いた新規合成法の開発
  • 07 (M) 三矢 昌俊 Masatoshi MITSUYA
    MOCVD合成Bi層状強誘電体SrBi2(Ta1-xNbx)2O9薄膜の高性能化
  • 06 (M) 渡邉 隆之 Takayuki WATANABE
    Bi4Ti3O12基Bi層状強誘電体薄膜のMOCVD合成と特性評価

2000

  • 05 (M) 石川 勝之 Masayuki ISHIKAWA
    Bi層状構造強誘電体のMOCVD合成とその評価
  • 04 (M) 奥田 律一 Norikazu OKUDA
    MOCVD法によるペロブスカイト型導電性SrRuO3・CaRuO3薄膜の合成と評価
  • 03 (M) 長島 邦治 Kuniharu NAGASHIMA
    新規MOCVD法の開発と多結晶ならびにエピタキシャル成長Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜の特性評価

1999

  • 02 (M) 額賀 紀全 Norimasa NUKAGA
    MOCVD法によるSrBi2Ta2O9薄膜の合成と電気特性
  • 01 (M) 松崎 智一 Tomokazu MATSUZAKI
    MOCVD法によるPb(Nb,Ti)O3薄膜の合成と評価

M=修士, Ph.D =博士

東京工業大学 物質理工学院 材料系 材料コース

舟窪研究室

〒226-8502 横浜市緑区長津田町4259-J2-43(J2棟15階1508室)

Funakubo Laboratory

Department of Innovative and Engineered Materials,
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,
Tokyo Institute of Technology

J2-43, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, JAPAN


E-mail : funakubo.h.aa[at]m.titech.ac.jp

Copyright © Funakubo Laboratory
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