小寺さんが 第36回 (2019年度) 強誘電体応用会議の最優秀発表賞を受賞しました。

博士研究員 小寺さんが 第36回 (2019年度) 強誘電体応用会議で行った発表が、最優秀発表賞に選ばれました。
おめでとうございます。

発表題目:PLD法を用いて作製したBi2SiO5エピタキシャル薄膜の強誘電特性
発表者:小寺 正徳(東京工業大学)

東京工業大学 物質理工学院 材料系 材料コース

舟窪研究室

〒226-8502 横浜市緑区長津田町4259-J2-43(J2棟15階1508室)

Funakubo Laboratory

Department of Innovative and Engineered Materials,
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,
Tokyo Institute of Technology

J2-43, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, JAPAN


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