新聞発表等


2014820日 日刊工業新聞 圧電体単結晶製 エネ変換係数計測

 

201481日 科学新聞 圧電体基礎特性測定成功 

 

2012316日 日刊工業新聞 鉛含まぬ圧電体開発

 

20111227日 日刊工業新聞 200ナノ秒でスイッチング MEMS向け圧電体薄膜開発

 

20111220日 日経産業新聞 MEMS精度誤差1/10 圧電材料を高速制御

 

2009310日 日刊工業新聞 強誘電体で可変コンデンサー 消費電力100分の1以下

 

200899日 日刊工業新聞 単結晶でPZT圧電体

 

2006113日 日刊工業新聞 新しい概念導入

 

20051214日 日刊工業新聞 亜鉛ニオブ酸鉛 チタン酸鉛 東工大など薄膜成長

 

2005414日 日刊工業新聞 膜状で巨大圧電特性

 

2003226日 日刊工業新聞 多成分酸化物のMOCVD 組成再現性 飛躍的アップ

 

2001116日 日刊工業新聞 β鉄シリサイドの電導性を制御

 

200111月 TRIGGER 環境に優しいだけではない高性能化に成功した環境半導体

 

20011019日 日刊工業新聞 メモリー材料に"風穴"

 

2001817日 日刊工業新聞 漏れ電流2ケタ改善 次世代強誘電体メモリー材料SBTN

 

200181日 日刊工業新聞 波及効果

 

2001726日 日刊工業新聞 β鉄シリサイド 環境半導体を高品質化

 

20016月 NEW TECHNOLOGY JAPAN Lead-Free Bismuth-Lanthanum Titanate Ferroelectric Thin Film

 

2001426日 日刊工業新聞 540Cの低温で成長 鉛を含まないBLT強誘電体薄膜

 

2001418日 日刊工業新聞 次世代強誘電体メモリー材料 低温で一軸配向実現

 

2000925日 日刊工業新聞 MOCVD原料ガスをパルス間隔で吹き付け 薄膜性能が格段に向上

 

1998913日 日経産業新聞 次世代メモリー用強誘電体材料 薄膜作り効率10倍に