Funakubo Laboratory Review List


 

舟窪 , 木枝暢夫, 水谷惟恭, 加藤誠軌

新素材成形加工事典 (1988). (分筆)

 

舟窪 , 木枝暢夫, 水谷惟恭

CVD法による遷移金属窒化物薄膜の合成と性質

表面 27(1), 57-68 (1989).

 

永井正幸, 中村吉伸, 舟窪 , 松田元秀

研究技術動向の一断面

セラミックス 28(3), 256-265 (1993).

 

水谷惟恭, 舟窪 浩

化学気相成長

応用物理 62(12), 1249-1247 (1993).

 

舟窪 , 篠崎和夫, 水谷惟恭

”MOCVD法による酸化物薄膜の合成

セラミックデータブック1994, 151-156 (1994).

 

水谷惟恭、舟窪 浩、

“CVD法による配向制御粒界をもつ薄膜の合成”,

財団法人 池谷科学技術振興財団、「フロンティアセラミックスの研究」、pp.154-1591994.

 

永野大介, 舟窪 , 篠崎和夫, 水谷惟恭

“SrTiO3薄膜における広い単相領域と格子定数の異常

材料科学 33(4), 175-176 (1996). 

 

舟窪 浩

セラミックス配向薄膜の粒界を利用した粒界誘起型特性の出現

インテリジェント材料 6(1), 5-8 (1996).

 

舟窪 , 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成

ニューセラミックス 10(6), 43-48 (1997).

 

脇谷尚樹, 舟窪 浩, 篠崎和夫, 水谷惟恭

セラミックス薄膜の配向制御と特性発現

セラミックデータブック1997, 173-181 (1994).

 

舟窪 , 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成

半導体セラミックス, 139-146 (1998). (分筆)

 

舟窪 浩, 佐伯 淳, 篠崎和夫, 水谷惟恭

鉛系正方晶ペロブスカイト構造強誘電体薄膜のc軸配向決定機構の解明

材料科学 35(4), 197-199 (1998).

 

舟窪 浩, 篠崎和夫, 水谷惟恭

エキシマレーザ MOCVD法によるPbTiO3薄膜の低温合成

材料科学 36(1), 48-49 (1999).

 

舟窪 浩, 石川勝之, 渡辺隆之, 三矢昌俊, 額賀紀全

“MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜の合成とその電気特性評価

日本結晶成長学会誌 27(3), 111-116 (2000).

 

Hiroshi Funakubo, Katsuyuki Ishkawa, Takayukui Watanabe, Masatoshi Mitsuya, and Norimasa Nukaga

"Preparation of Bismuth Layered-Structured Ferroelectric Thin Films by MOCVD and Their Characterization"

Adv. Mater, Opt. Electr. 10, 193-200 (2000).

 

舟窪 浩, 荒谷政則

有機金属化学気相法による強誘電体メモリ薄膜作製

工業材料 49(3), 65-70 (2000).

 

舟窪 浩

高品質強誘電体薄膜の低温合成 -パルスMOCVD法によるチタン酸ジルコン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]薄膜の合成-“

応用物理 70(9), 1061-1066 (2001).

 

舟窪 浩, 渡辺隆之

サイトエンジニアリングコンセプトに基づくBi4Ti3O12基強誘電体の設計

工業材料 50(3), 101-105 (2002).

 

舟窪 浩, 及川貴弘, 斎藤啓介

エピタキシャル薄膜を用いたPZT薄膜の結晶構造と特性評価

社団法人 電気学会 電子材料研究会資料 EFM-02-9, 1-5 (2002).

 

斎藤啓介, 舟窪 浩

“X線回折逆格子空間マッピング法を用いた強誘電体薄膜中のドメイン構造の観察

機能材料 22(12), 28-33 (2002).

 

森岡 仁, 舟窪 浩, 及川貴弘

“PZTの物性はどこまでわかっているのか エピタキシャルPZT薄膜の研究からわかること―”

社団法人 電気学会 電子材料研究会資料 EFM-03-13, 17-21 (2003).

 

Keisuke Saito, Toshiyuki Kurosawa, Takao Akai, Shintaro Yokoyama, Hitoshi Morioka, Hiroshi Funakubo

“Advanced X-ray Analysis of Ferroelectrics”

POLAR OXIDES PROPERTIES, CHARACTERIZATION AND IMAGING, (2003).

 

舟窪 浩, 渡辺隆之, 酒井朋裕

“MOCVD法による強誘電体薄膜の形成

機能材料 23(8), 13-21 (2003).

 

舟窪 浩, 渡辺隆之, 小嶌隆志

強誘電体薄膜材料における非鉛化実現の可能性

表面 40(11), 12(50)-20(58) (2003).

 

渋田見哲夫, 大島憲昭, 舟窪 浩

“A Novel Ruthenium Precursor for MOCVD without Seed Ruthenium Layer”

東ソー研究・技術報告, 47(2003)別冊, 61-64

 

舟窪 浩、渡辺隆之、酒井朋裕

“MOCVD法による強誘電体薄膜の形成

シーエムシー出版、強誘電体メモリーの新展開 Recent Progress in Ferroelectric Memories, 17-25(2004)

 

Hiroshi Funakubo,

“Recent Development in the Preparation of Ferroelectric Thin Films by MOCVD”

Springer, “Ferroelectric Random Access Memories”,

Hiroshi Ishikawa, Masanori Okuyama, Yoshihiro Arimoto(Eds.)

Topics Appl. Phys. 93, 95-103(2004)

 

Hiroshi Funakubo, Shintaro Yokoyama,

“In-situ Observation of the Domain Dynamics of Piezoelectric Films Under Applied Electric Field”

JASRI (Japan Synchrotron Radiation Research Institute - Spring-8 User Office –)

“SPring-8 User Experiment Report No.12 (2003B)”, July 2004, 2003B0596-ND1a-np-Na, BL13XU, p.81

 

舟窪 浩、森岡 仁、及川貴弘、横山信太郎

完全分極軸配向PZT薄膜による自発分極値の見積もり

工業製品技術協会、セラミックデータブック2004, 工業と製品, 32(86)54-56

 

Susanne Hoffmann, Hiroshi Funakubo, Vikram Joshi, Angus I. Kingon, Ivo P. Koutsaroff,

“Ferroelectric Thin Films XU”,

Vol. 784 from the MRS Symposium Proceedings Series, MRS

 

Hiroshi Funakubo,

“Spontaneous Polarization and Crystal Orientation Control of MOCVD PZT and Bi4Ti3O12-Based Films”,

Springer, “Ferroelectric Thin Films”, Masanori Okuyama, Yoshihiro Ishibashi(Eds.), Topics Appl. Phys. 98, 77-89(2005)

 

舟窪 浩, 渡辺隆之,

強誘電体薄膜におけるサイトエンジニアリングコンセプト”, 表面科学, 26巻第4, 20054

Hiroshi Funakubo, Takayuki Watanabe,

“Site Engineering Concept of Ferroelectric Thin Films”,

Journal of Surface Science Society of Japan, HYOMEN KAGAKU, 26(4)2005

 

丸山正明, “東工大COE教育改革”, 日経BP社

(舟窪先生がCOE旗印教員として参画している、東工大材料系の21世紀COEプログラムの本です)

 

舟窪 浩, 高橋健治, 小島隆志, 渡辺隆之, 鈴木宗泰

薄膜コンデンサ材料の開発”, 化学工業 VOL.56 No.7 20057

 

秋山賢輔, 舟窪 浩,

化学気相成長法によるβ-FeSi2薄膜の結晶成長とPL発光特性”,

“Crystal Growth of β-FeSi2 Thin Film by CVD and Photoluminescence Properties”,

シーエムシー出版, 月刊 機能材料, (2005-10), 25(10), 41-46

 

内田 , 舟窪 , 幸田清一郎,

ペロブスカイト酸化物基強誘電体薄膜における巨大分極誘起への挑戦”,

潟Gヌ・ティー・エス, 未来材料, 5(11)2005, 44-50. 200511月号

 

Y. K. Kim, H. Funakubo, S. Yokohama, R. Ueno, S. Osami, S. Kimura,

in-situ Measurement of Domain Switching in Ferroelectric Thin films”,

JASRI (Japan Synchrotron Radiation Research Institute - Spring-8 User Office –)

“Spring-8 User Experiment Report, No. 14(2004B)”, pp. 85, (2005).

 

舟窪 浩、

強誘電体薄膜研究の最先端における計測・制御”,

“Measurement and Control Required in the Forefront of Ferroelectric Thin Film Research”,

株式会社 堀場製作所、Readout Horiba Technical Reports, 22, Mar. 2001, pp.31-35.

 

“MOCVDプロセスにおけるin-situモニタリングの重要性と今後の展望”,

舟窪 浩、

株式会社 堀場製作所、Readout Horiba Technical Reports, 32, May 2006, pp.54-59.

 

c軸配向ビスマス層状化合物膜の誘電特性”,

舟窪 浩、高橋健治、渡辺隆之、小島隆志、鈴木宗泰、坂下幸雄、加藤一実、

TIC潟eィー・アイ・シー、マテリアルインテグレーション、19(09)2006., pp.3-7.

 

Hiroshi Funakubo,

“Size Effect of Ferroelectric and High Permittivity Thin Films”,

Elsevier, Nanomaterials: From Research To Applications, edited by H. Hosono, Y. Mishima, H. Takezoe, and K.J.D. Mackenzie, 2006, pp.99-134.

 

Taishi Furukawa, Noriaki Oshima and Hiroshi Funakubo,

“Development of a Novel Bismuth Precursor for MOCVD”,

東ソー研究・技術報告, 50(2006)別冊, 41-44.

 

秋山賢輔、舟窪浩、

“4.1.6 環境半導体”,

丸善株式会社、エコマテリアルハンドブック、[監修]山本良一、pp.465-466.

 

舟窪 ,

ビスマス層状誘電体のナノレイヤー積層方向に見られる新規誘電特性”,

()日本セラミックス協会, セラミックス, 42(3)2007, pp.169-174.

 

Hiroshi Funakubo,

“Importance of in situ Monitoring in MOCVD Process and Future Prospects”,

株式会社 堀場製作所、Readout Horiba Technical Reports, 11, Feb. 2007, pp.54-59.

 

Hiroshi Funakubo and Osami Sakata,

“Thickness-degradation-free Dielectric Thin Films”,

SPring-8/JASRI, July 2007, “Spring-8 Research Frontiers 2006”, (2007) pp.87-88.

 

舟窪浩, 坂田修身, 水谷惟恭,

酸化物薄膜の界面研究の進展−実用化への観点からみた進展−”,

株式会社テクノプラザ(工業製品技術協会), セラミックデータブック2007, 工業と製品, 35(89) pp.47-52.

 

舟窪浩,

“2次元ナノレイヤー積層による新規誘電特性の発現−サイズ効果フリー高誘電体の創製−”,

研究報告書さきがけ研究「ナノと物性」領域, 研究期間200310月〜20073, 独立行政法人 科学技術振興機構(JST, pp.89-101.

 

舟窪浩, 安井伸太郎,

2章第6[4]”MOCVD”,

圧電材料の高性能化と先端応用技術, 監修 中村僖良, サイエンス&テクノロジー株式会社, pp.168-178.

 

坂田修身, 吉本護, 三木一司, 中村将志, 舟窪浩,

“X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価”,

日本結晶学会誌, 492007pp.292-299.

 

斉藤啓介, 黒沢利行, 植木定雄, 舟窪 浩

多次元検出器と高分解能X線回折装置を用いた薄膜材料解析

J.Vac.Soc.Jpn.,(真空) Vol.49 (2006) pp.90-96.

 

舟窪 浩, 横山信太郎, 坂田修身, 木村 滋

圧電体膜の電界誘起ドメインダイナミックスのin-situ測定

In-situ observation of Domain Dynamics of Piezoelectric Films Under Applied Electric Field”

SPring8 ナノテクノロジー研究 “nanotechnology in SPring 8” Vol.3 2003B p.124-125 SSPH15-99, 2003B0596-ND1a-np-Na

 

Hiroshi Funakubo, Takahiro Oikawa, Shintaro Yokoyama, Kuniharu Nagashima, Hiroshi Nakaki, Takashi Fujisawa, Rikyu Ikariyama, Shintaro Yasui, Keisuke Saito, Hitoshi Morioka, Hee Han, Sunggi Baik, Yong Kwan Kim and Toshimasa Suzuki

Epitaxially grown ferroelectric thin films for memory applications (ferroelectric random access memories)

Phase Transition Volume 81 (7) (2008) 667 – 678.

 

舟窪 浩、山田智明

ペロブスカイト構造酸化物の薄膜化技術の最近動向

セラミックス Vol.43 (8) (2008) 634-638

 

Hiroshi Funakubo

“Degradation-free Dielectric Property Using Bismuth Layer-structure Dielectrics Having Natural Superlattice Structure”

J. Ceram. Soc. Jpn., 116(12) (2008) De1249-1254.

 

山田智明、Nava Setter, 舟窪 浩

強誘電体誘電体配向ナノコンポジット薄膜の自己組織化成長とチューナブル特性

株式会社テクノプラザ(工業製品技術協会), セラミックスデータブック 2008/2009 Vol.36 (90) 2008, pp.37-40

 

舟窪 浩、安井伸太郎、山田智明、石河陸生

“MOCVD法によるBiFeO3基薄膜の合成と評価

マテリアルインテグレーション Vol22, No02 (2009) pp.25-31

 

舟窪 浩、藤澤隆志、山田智明、石河睦生

巨大圧電性を目指したPb(Zr,Ti)O3単結晶膜の作成

自動車技術 vol.63(4) (2009) 94-95.

 

舟窪 浩、藤澤隆志、宇津木 覚、山田智明、石河睦生

分極軸配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3厚膜の作製と評価

マテリアルインテグレーション, 22(9,10) (2009) 17-24.

 

石河睦生、矢澤慶祐、藤澤隆志、安井伸太郎、長谷川智仁、黒澤 実、舟窪 浩

水熱合成法によるKNbO3エピタキシャル膜の作製と特性評価

超音波TECHNO, 2010.5-6(2010)87-91.

 

Hiroshi Funakubo, Shintaro Yasui, Mutsuo Ishikawa and Tomoaki Yamada

“Chemical vapor deposition of ferroelectric thin films: a critical review”

Ferroelectric Thin Films at Microwave Frequencies” edited by TK Jackson, PM Suherman and P bao, Research Signpost, India, 2010, pp.172-182.

 

Kaoru Miura , Masaki Azuma and Hiroshi Funakubo

“Electronic and Structural Properties of ABO3 :  Role of the B-O Coulomb Repulsions for Ferroelectricity”

Materials, 4 (2011) 260-273 doi:10.3390/ma4010260