修了生


 

Year

No.

Name

Title of dissertation

2017

76(M)

黒川 満央

Mao KUROKAWA

アルカリ土類金属シリサイド膜の電気特性制御因子の研究

75 (M)

根本 祐一

Yuichi NEMOTO

PLD法を用いた正方晶エピタキシャル(Bi,K)TiO3膜の作製と特性評価

74 (M)

三村 和仙

Takanori MIMURA

配向制御したHfO2基強誘電体における強誘電相安定性に関する研究

2016

73

(Ph.D)

仮屋 哲朗

Tetsuro KARIYA

Study on creating novel cell structures for next-generation fuel cells using alloy powders

 (合金粉末を活用した次世代型燃料電池構造体の創製に関する研究)

72 (M)

一ノ瀬 大地

Daichi ICHINOSE

正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造制御

71 (M)

上原 睦雄

Mutsuo UEHARA

スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と電気特性評価

70 (M)

片山 きりは

Kiriha KATAYAMA

気相法により直接成長させた強誘電性HfO2基エピタキシャル薄膜の

作製と評価

2015

69

(Ph.D)

木村 純一

Junichi KIMURA

Study on temperature stability of dielectric properties in TiO6

octahedra-based oxides

(TiO6八 面体基酸化物における誘電特性の温度安定性に関する研究)

68

(Ph.D)

白石 貴久 

Takahisa SHIRAISHI

Study on low temperature preparation of (KxNa1-x)NbO3 films

by hydrothermal method and their piezoelectric characterization

水熱合成法による(KxNa1-x)NbO3膜の低温合成と

その圧電特性評価に関する研究

67

(Ph.D)

中島 光雅 

Mitsumasa NAKAJIMA

電界誘起分極再配向を用いた誘電体膜の誘電・圧電特性の

向上に関する研究

66 (M)

新井 洋喜 

Hiroki ARAI

スパッタリング法によるアルカリ土類金属シリサイド膜の作製

および電気特性評価

65 (M)

大島 直也 

Naoya OSHIMA

配向制御したペロブスカイト酸化物強誘電体薄膜の作製と電気特性評価

64 (M)

中島 崇明 

Takaaki NAKASHIMA

エピタキシャルPbTiO3膜における結晶構造に対する温度

及び格子歪みの影響

2014

63

(Ph.D)

江原 祥隆

Yoshitaka EHARA

Study on crystal structure change in epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 films

induced by electric field and stress from substrates

62

(Ph.D)

及川 貴弘 

Takahiro OIKAWA

Bi(Mg1/2Ti1/2)O3基強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性に関する研究

61 (M)

小川 正太 

Shota OGAWA

スパッタリング法により合成したMg2Siエピタキシャル膜の結晶構造

および電気特性評価

60 (M)

金子 祈之 

Noriyuki KANEKO

水熱合成法によるフレキシブル基板上への

非鉛圧電体KNbO3の作製とその特性評価

59 (M)

田中 宏樹 

Hiroki TANAKA

Pd被覆多孔質ステンレスを利用した固体酸化物型燃料電池の作製と

その特性評価

2013

58 (M)

片桐 淳生

Atsuo KATAGIRI

スパッタリング法によるMg2Siエピタキシャル膜の作製と電気特性評価

57 (M)

真鍋 直人

Naoto MANABE

Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-BiFeO3系圧電体の

粉体及び薄膜における結晶構造解析と電気特性

56 (M)

和田 亜由美

Ayumi WADA

圧電MEMSPb(Zr,Ti)O3膜の圧電機構の解析及び信頼性評価

2012

55 (M)

木村 純一

Junichi KIMURA

c軸配向CaBi4Ti4O15薄膜を用いた高温適応キャパシタの作製と評価

54 (M)

白石 貴久

Takahisa SHIRAISHI

水熱合成法の特徴を活かした(K,Na)NbO3膜の作製と特性評価

53 (M)

長田 潤一

Jun-ichi NAGATA

Bi(Zn1/2Ti1/2)O3基強誘電体薄膜の結晶構造と電気特性評価

2011

52

(Ph.D)

安井 伸太郎

Shintaro YASUI

Study on growth and electrical property of

Bi-based perovskite ferroelectric thin films

51 (M)

榮西

Hiroshi EINISHI

エピタキシャルKNbO3-NaNbO3膜の水熱合成

50 (M)

江原 祥隆

Yoshitaka EHARA

単一配向した菱面体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の結晶方位依存性とその特性評価

49 (M)

多久和

Itaru TAKUWA

結晶配向制御によるペロブスカイト酸化物誘電体薄膜の歪み安定性の向上

48 (M)

田中 秀典

Hidenori TANAKA

組成及び形状制御による非鉛圧電体の特性向上の試み

2010

47

(Ph.D)

河野 和久

Kazuhisa KAWANO

MOCVD用ルテニウム錯体の開発および薄膜作製に関する研究

46

(Ph.D)

三好

Tetsu MIYOSHI

エアロゾルデポジション法による高密度圧電セラミックスの作製とその評価

45

(Ph.D)

森岡

Hitoshi MORIOKA

Effects of Domain Structure on Ferroelectric and Piezoelectric

Properties of Lead-based Ferroelectric Films Characterized

by Advanced X-ray Diffraction Techniques

44 (M)

宇津木

Satoru UTSUGI

MOCVD 法による CaF2上へのエピタキシャル 正方晶強誘電体

Pb(Zr,Ti)O3膜の作製と評価

43 (M)

中島 光雅

Mitsumasa NAKAJIMA

電界印加による分極再配向を利用した誘電・圧電特性の設計

42 (M)

矢澤 慶祐

Keisuke YAZAWA

非鉛強誘電体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-BiFeO3薄膜の作製と特性評価

2009

41 (M)

加茂 嵩史

Takafumi KAMO

RFマグネトロンスバッタ法を用いた

(100)及び(111)配向(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製と評価

40 (M)

平野 雅輝

Masaki HIRANO

MOCVD法で作製した金属Ru膜におけるインキュベーションタイムの影響

39 (M)

藤沢 隆志

Takashi FUJISAWA

MOCVD法を用いた分極軸配向エピタキシャル正方晶

Pb(Zr,Ti)O3膜の作製と評価

2008

38

(Ph.D)

中木

Hiroshi NAKAKI

正方晶PZT厚膜のドメイン構造とその特性への寄与に関する研究

37 (M)

碇山 理究

Rikyu IKARIYAMA

MOCVD法によるエピタキシャルパイロクロア導電膜の作製とその評価

36 (M)

安井 伸太郎

Shintaro YASUI

MOCVD法によるエピタキシャルBiFeO3-BiCoO3膜の作製と評価

2006

35

(Ph.D)

鈴木 宗泰

Muneyasu SUZUKI

ビスマス層状構造誘電体の構造的特徴を応用した誘電特性の研究

34

(Ph.D)

高橋 健治

Kenji TAKAHASHI

自然超格子構造を有するビスマス層状構造誘電体薄膜の

特性評価およびキャパシタ構造の最適化に関する研究

33

(Ph.D)

横山 信太郎

Shintaro YOKOYAMA

鉛系強誘電体膜のMOCVD合成とその結晶構造および

電気特性評価に関する研究

32 (M)

伊藤 信一

Shinichi ITO

RFマグネトロンスパッタ法による(Ba,Sr)TiO3薄膜の作製とキャパシタ特性

31 (M)

岡浦 伸吾

Shingo OKAURA

MOCVD法によるBi-Zn-Nb-O薄膜の作製と評価

30 (M)

岡本

Satoshi OKAMOTO

リラクサー型強誘電体Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3膜における

誘電特性の膜厚依存性

29 (M)

桑原 弥紀

Hiroki KUWABARA

SrRuO3バッファを用いた(111)一軸配向

正方晶Pb(Zr,Ti)O3薄膜の作製と評価

28 (M)

南舘

Jun MINAMIDATE

導電性酸化物SrRuO3薄膜の低温MOCVD合成とその電極特性の評価

2005

27 (M)

岡本 庄司

Shoji OKAMOTO

MOCVD合成PZT厚膜の配向制御及び強誘電性評価

26 (M)

章弘

Akihiro SUMI

菱面体晶PZTの電気特性の温度及び膜厚依存性

25 (M)

永井 篤史

Atsushi NAGAI

高密度FeRAM応用を目指したナノトレンチ基板上への

3D構造Pb(Zr,Ti)O3キャパシタ構築の検討

2004

24

(Ph.D)

秋山 賢輔

Kensuke AKIYAMA

高品質β-FeSi2薄膜作製と特性評価に関する研究

23

(Ph.D)

渡邉 隆之

Takayuki WATANABE

Ferroelectric Properties of Modified Bi4Ti3O12 Thin Films

22 (M)

浅野 剛司

Gouji ASANO

Pb(Zr,Ti)O3薄膜作成時におけるMOCVDプロセス及び

キャパシタ構造の最適化

21 (M)

本田 佳久

Yoshihisa HONDA

高品質エピタキシャルPLZT厚膜の特性評価

20 (M)

森岡

Hitoshi MORIOKA

エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜におけるドメイン構造と強誘電性の制御

2003

19

(Ph.D)

斎藤 啓介

Keisuke SAITO

X線回折逆格子空間マッピング法を用いた

強誘電体薄膜の結晶構造解析に関する研究

18 (M)

木村

Takeshi KIMURA

高品質β-FeSi2半導体薄膜の作製とその評価

17 (M)

小嶌 隆志

Takashi KOJIMA

MOCVD法合成Bi層状化合物の特徴を用いた

強誘電体キャパシタへの応用

16 (M)

高橋 健治

Kenji TAKAHASHI

MOCVD合成HfO2薄膜/Si界面の新規制御法の検討

15 (M)

横山 信太郎

Shintaro YOKOYAMA

MOCVD法合成Pb(Zr,Ti)O3厚膜の特性評価

2002

14

(Ph.D)

時田 浩司

Kouji TOKITA

PZT薄膜の低温合成と配向制御に関する研究

13

(Ph.D)

額賀 紀全

Norimasa NUKAGA

SrBi2Ta2O9薄膜のMOCVD法による高品質化に関する研究

12 (M)

及川 貴弘

Takahiro OIKAWA

MOCVD合成エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜の強誘電特性制御法の確立

11 (M)

尾関 朝彦

Tomohiko OZEKI

MOCVD法によるPZT厚膜の合成と評価

10 (M)

酒井 朋裕

Tomohiro SAKAI

メモリー応用を目指したBi層状強誘電体薄膜の新化合物探索

2001

09 (M)

荒谷 政則

Masanori ARATANI

新規MOCVD法によるPZT強誘電体薄膜の低温合成による特性と評価

08 (M)

典行

Noriyuki HIGASHI

MOCVD合成した導電性酸化物(Sr,Ca)RuO3の構造解析及び

触媒反応を用いた新規合成法の開発

07 (M)

三矢 昌俊

Masatoshi MITSUYA

MOCVD合成Bi層状強誘電体SrBi2(Ta1-xNbx)2O9薄膜の高性能化

06 (M)

渡邉 隆之

Takayuki WATANABE

Bi4Ti3O12Bi層状強誘電体薄膜のMOCVD合成と特性評価

2000

05 (M)

石川 勝之

Masayuki ISHIKAWA

Bi層状構造強誘電体のMOCVD合成とその評価

04 (M)

奥田 律一

Norikazu OKUDA

MOCVD法によるペロブスカイト型

導電性SrRuO3CaRuO3薄膜の合成と評価

03 (M)

長島 邦治

Kuniharu NAGASHIMA

新規MOCVD法の開発と多結晶ならびに

エピタキシャル成長Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜の特性評価

1999

02 (M)

額賀 紀全

Norimasa NUKAGA

MOCVD法によるSrBi2Ta2O9薄膜の合成と電気特性

01 (M)

松崎 智一

Tomokazu MATSUZAKI

MOCVD法によるPb(Nb,Ti)O3薄膜の合成と評価

M=修士, Ph.D =博士